삼성전자 미세공정 저항 신기술 세계 최초 구현

경제 · 갱신 2026-08-22

삼성전자는 2026년 8월 21일 AI 반도체용 초미세 배선의 저항을 45% 낮추는 기술을 세계 최초로 구현했다고 발표했다.
이 기술은 반도체 공정 미세화 과정에서 한계로 지적돼 온 배선 저항 증가 문제를 겨냥한 것으로, 삼성전자는 GIST(광주과학기술원)와의 공동 연구를 통해 초미세 공정 한계를 넘을 기술을 확보했다고 밝혔다.
삼성 파운드리는 2026년 4월 2나노 공정에서 발열과 면적 효율을 동시에 개선한 기술을 공개한 바 있다.
배선 저항 저감용 신소재와 관련해 어플라이드머티어리얼즈는 2024년 10월 2나노 공정 라이너에 루테늄을 처음 도입한 기술을 공개했고, 머크는 2026년 2월 몰리브덴 소재를 앞세웠다.
관련 소재·공정 분야에서는 2026년 2월 그래핀의 산업 제품화(삼성·LG·포스코), 2026년 5월 케이씨텍의 CMP 기술 기반 일본 독점 반도체 핵심소재 국산화 추진이 보도됐다.
SK하이닉스는 2023년 6월 D램 미세공정 한계를 3D D램 등 차세대 메모리 기술로 돌파하겠다고 밝혔고, 송재혁 삼성전자 CTO는 2025년 2월 AI 시대 메모리 혁신의 핵심으로 패키징을 지목했다.